СЗМ Раман Нано ИК системы
Модульные СЗМ
Автоматизированные СЗМ
Специализированные СЗМ
 
 

Полупроводники

Спиральная ступень на поверхности Si(111)

Название: Спиральная ступень на поверхности Si(111)
MDT-файл: surface_of_si_111_.mdt (512,49 Кб)

Спиральная ступень на поверхности Si(111), образовавшаяся вследствие выхода винтовой дислокации на поверхность, и двумерные (глубиной 0,31 нм) отрицательные островки (c латеральными размерами несколько десятков нанометров), после термического отжига кристалла кремния в кислородной атмосфере.

Изображение и образец предоставлены Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловым Д.В., Латышевым А.В. Институт физики полупроводников СО РАН, Россия.

« Атомные слои GaAs на поверхности кремния Наноостровки кремния »
 
 
Copyright © 2015 - 2017, NT-MDT SI