СЗМ Раман Нано ИК системы
Модульные СЗМ
Автоматизированные СЗМ
Специализированные СЗМ
 
 

Полупроводники

Ступенчатая поверхность кремния (111)

Название: Ступенчатая поверхность кремния (111)
MDT-файл: the_stepped_si_111_surface.mdt (515,92 Кб)

Ступенчатая поверхность кремния (111) после осаждения 0,2 MC золота при температуре 900 С в сверхвысоком вакууме с последующим охлаждением до комнатной температуры. В результате охлаждения происходит объединение адатомов на террасах в островки моноатомной высоты.

Впервые экспериментально зарегистрировано увеличение концентрации атомов за счёт выхода на поверхность междоузельных атомов кремния, образующихся при диффузии золота в объёме полупроводника при повышенных температурах.

Изображение получено Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловом Д.В., Латышевым А.В., Институт физики полупроводников СО РАН, Россия

Атомные слои GaAs на поверхности кремния »
 
 
Copyright © 2015 - 2017, NT-MDT SI