СЗМ Раман Нано ИК системы
Модульные СЗМ
Автоматизированные СЗМ
Специализированные СЗМ

Примеры применений (Архив)

Научные основания

Улучшение латерального разрешения измерений поверхностного потенциала.


1. H. O. Jacobs, P. Leuchtmann, O. J. Homan, and A. Stemmer, Journal of Applied Physics, August 1, 1998, Volume 84, Issue 3, pp. 1168-1173, “Resolution and contrast in Kelvin probe force microscopy”. (pdf-file).
2. P.Girard, Nanotechnolgy, 2001, Number 12, pp. 485-490, “Electrostatic force microscopy: principles and some applications to semiconductors”. (pdf-file).
3. U. Rabe, K. Janser, and W. Arnold, Review of Scientific Instruments, September 1996 Volume 67, Issue 9, pp. 3281-3293 “Vibrations of free and surface-coupled atomic force microscope cantilevers: Theory and experiment”. (pdf-file). 
4.  J. V. Hong, Sang-il Park, and Z. G. Khim, Review of Scientific instruments, March 1999, Volume 70, Number 3, pp 1735-1739, “Measurements of hardness, surface potential, and charge distribution with dynamic contact mode electrostatic force microscope”. (pdf-file).
5. A. Ankudinov, V. Marushchak, A. Titkov, V. Evtikhiev, E. Kotelnikov, A. Egorov, H. Riechert, H. Huhtinen, R. Laiho, Physics of Low Dimensional Structures, 2001, Issue ?, pp. 9-11, “Fine structure of the inner electric field insemiconductor laser diodes under the applied bias studied by EFM”. (zip-file).
6. A. V. Ankudinov, E. Yu. Kotelnikov, A. A. Kantselson, V. P. Evtikhiev, A. N. Tikov, Semiconductors, July 2001,Volume 35, Issue 7, pp. 840-846, “Cross-Sectional Electrostatic Force Microscopy of Semiconductor Laser Diodes”. (pdf-file in russian).

Дополнительная информация о лазерных структурах была получена с использованием  Метода Кельвина.

Copyright © 2015 - 2018, NT-MDT SI