TITANIUM
АСМ Раман
Модульные СЗМ
Автоматизированные СЗМ
Специализированные СЗМ
 
 

Примеры применений (Архив)

Получение рельефа. ZnSSe/GaAs laser structure.

Получение рельефа. ZnSSe/GaAs лазерная структура.


Особенности рельефа отдельных слоев на сколах с грубой поверхностью. Образцы гетероструктур на основе соединений 3-5 или 2-6, имеющих кристаллическую структуру цинковой обманки, легко скалываются, образую почти атомарно гладкую поверхность скола, на которой проступают составляющие слои. Несколько условно можно представить две возможные процедуры формирования скола полупроводниковых пластин: подобную раскалыванию деревянной доски и подобную разламыванию крекера. Как правило, первый путь дает зеркальные поверхности, второй путь приводит к ступенчатым и грубым поверхностям. Тем не менее, последний случай представляет интерес, поскольку скол происходит в перпендикулярном поверхностям слоев направлении, и морфология поверхности соседних слоев может существенно изменяться из-за различного механического поведения этих слоев при формировании скола.

 На Рис. 1a представлено полученное с помощью контактной АСМ изображение рельефа так приготовленного скола лазерной ZnSSe/GaAs гетероструктуры. Шесть областей с различной поверхностной морфологией описывают историю прохождения трещины скола. Действительно, относительно плоска GaAs поверхность предполагает хорошие условия для развития трещины, в то время как гранулированная морфология ZnSSe эмиттера отражает скорее процесс пластичного разрушения. Это хорошо согласуется с на самом деле более пластичным поведением материалов на основе ZnSe, сравнительно с более хрупким GaAs. Как можно видеть идентифицируются все слои, составляющие гетероструктуру, в соответствии с зонной диаграммой гетероструктуры (Рис. 1b). Интересно отметить, что кроме того на изображении проявляются буферная GaAs область и дополнительная граница в N-ZnSSe эмиттере, обусловленная прерыванием роста.

 

АСМ изображения получены с использованием SPM P4 и CSC12 зондовых датчиков.
На следующих страницах представлены описание использованного метода, details и grounds получения изображения.
Дополнительная информация о лазерных структурах была получена с использованием Латерально-силовой микроскопии, Метода Модуляции силы, Контактной ЭСМ, Метода Кельвина.

 
 
Copyright © 2015 - 2017, NT-MDT SI