Инфракрасный свето-излучающий диод - локализация p-n перехода

АСМ(верхнее) и МЗК(нижнее) изображения n-InAs/p-InAsSbP инфракрасного свето-излучающегося диода размещенного в поперечном разрезе. МЗК позволяет определять p-n переход, хотя разность потенциалов около 20мВ. Так определить p-n переход сложнее по сравнению с другими методами.

Образец Инфракрасного свето-излучающего диода и изображения предоставлены Aлександром Анкудиновым (группа A.Tиткова), Физико-Технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург.


infrared_light-emitting_diode-localization_of_p-n_junction_9.0x2
infrared_light-emitting_diode-localization_of_p-n_junction_9.0x2
Инфракрасный свето-излучающий диод - локализация p-n перехода

АСМ(верхнее) и МЗК(нижнее) изображения n-InAs/p-InAsSbP инфракрасного свето-излучающегося диода размещенного в поперечном разрезе. МЗК позволяет определять p-n переход, хотя разность потенциалов около 20мВ. Так определить p-n переход сложнее по сравнению с другими методами.

Образец Инфракрасного свето-излучающего диода и изображения предоставлены Aлександром Анкудиновым (группа A.Tиткова), Физико-Технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург.


size: 9.0x2.0 um
SPM principle: Kelvin Probe Force Microscopy
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.