Лазерный диод в работе

АСМ, МЗК изображения и отображение падения напряжения (dV/dx)  GaAlAs/GaAs
n-i-p лазерного диода при различных приложенных напряжениях.

A - АСМ изображение рельефа. Хорошо видны эмиттер и волноводная область.

B,C - МЗК изображение и отображение падения напряжения при -1.5 В (обратном) смещении.

D,E - МЗК изображение и отображение падения напряжения без приложенного напряжения.

F,G - МЗК изображение и отображение падения напряжения при +1.5V (прямом) смещении.


Образец скола лазерного диода и изображения представлены  Александром Анкудиновым
(группа А.Н. Титкова), Физико-Технический Институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия.


laser_diode_at_work_scanning_kelvin_potential_microscopy_6.0x1
laser_diode_at_work_scanning_kelvin_potential_microscopy_6.0x1
Лазерный диод в работе

АСМ, МЗК изображения и отображение падения напряжения (dV/dx)  GaAlAs/GaAs
n-i-p лазерного диода при различных приложенных напряжениях.

A - АСМ изображение рельефа. Хорошо видны эмиттер и волноводная область.

B,C - МЗК изображение и отображение падения напряжения при -1.5 В (обратном) смещении.

D,E - МЗК изображение и отображение падения напряжения без приложенного напряжения.

F,G - МЗК изображение и отображение падения напряжения при +1.5V (прямом) смещении.


Образец скола лазерного диода и изображения представлены  Александром Анкудиновым
(группа А.Н. Титкова), Физико-Технический Институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург, Россия.


size: 6.0x1.2 um
SPM principle: Kelvin Probe Force Microscopy
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.