Тестовая решетка

Тестовая решетка на кремниевой подложке с концентрацией Nn=1015 cm-3, шагом 3µm, высотой 0,1 мкм из SiO2. Было проведено внедрение ионов бора с E=30 keV и дозей 150mkCoulomb/cm2, отжиг в течении 60 минут при температуре T=1000 C, после чего было проведенио стравливание слоя SiO2. На полученной структуре получены следующие изображения: слева - рельеф поверхности, справа  - изображение, полученное с применением бесконтактной СЕМ.

Изображение предоставлено A. Иконниковым, ГосНИИ физических проблем & НТ-МДТ, Москва, Россия.


test_grating_with_different_doping_stripes_10.8x10
test_grating_with_different_doping_stripes_10.8x10
Тестовая решетка

Тестовая решетка на кремниевой подложке с концентрацией Nn=1015 cm-3, шагом 3µm, высотой 0,1 мкм из SiO2. Было проведено внедрение ионов бора с E=30 keV и дозей 150mkCoulomb/cm2, отжиг в течении 60 минут при температуре T=1000 C, после чего было проведенио стравливание слоя SiO2. На полученной структуре получены следующие изображения: слева - рельеф поверхности, справа  - изображение, полученное с применением бесконтактной СЕМ.

Изображение предоставлено A. Иконниковым, ГосНИИ физических проблем & НТ-МДТ, Москва, Россия.


size: 10.8x10.7 nm
SPM principle: Scanning Capacitance Microscopy
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.