Ga(Al)As

MDT-file: Загрузить

Образец представляет  собой гетероструктуру  Ga[Al]As с двумерным  электронным газом (ДЭГ), располагающимся на глубине 80нм под поверхностью.

Изображение получено Мельниковым М. Ю., Институт Физики Твердого Тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия.


ga_al_as_n
ga_al_as_n
Ga(Al)As

Образец представляет  собой гетероструктуру  Ga[Al]As с двумерным  электронным газом (ДЭГ), располагающимся на глубине 80нм под поверхностью.

Изображение получено Мельниковым М. Ю., Институт Физики Твердого Тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия.


size: 10x14 um
SPM principle: Intermittent contact mode
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.