Арсенид Галлия

MDT-file: Загрузить

GaAs, осажденный на поликристаллической подложке (Al2O3) в CVD.

Изображение получено Краснобородько С.Ю., НТ-МДТ, Россия, Москва.
Образец представлен Цыпленков И.Н., ОАО “Элма”


gallium-arsenide_n
gallium-arsenide_n
Арсенид Галлия

GaAs, осажденный на поликристаллической подложке (Al2O3) в CVD.

Изображение получено Краснобородько С.Ю., НТ-МДТ, Россия, Москва.
Образец представлен Цыпленков И.Н., ОАО “Элма”


size: 50x50 um
SPM principle: Intermittent contact mode
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.