InGaAs

MDT-file: Загрузить

Слой выращен методом Атомно-слоевой МЛЭ на подложке GaAs при температуре 5000 С.

Изображение получено Еременко В. Г., ИПТМ РАН, Россия.
Образец предоставлен Докт Луиза Гонсалес, Институт микроэлектроники, CSIC, Мадрид, Испания


ingaas120_n
ingaas120_n
InGaAs

Слой выращен методом Атомно-слоевой МЛЭ на подложке GaAs при температуре 5000 С.

Изображение получено Еременко В. Г., ИПТМ РАН, Россия.
Образец предоставлен Докт Луиза Гонсалес, Институт микроэлектроники, CSIC, Мадрид, Испания


size: 0.35x0.2 um
SPM principle: Intermittent contact mode
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.