Наноостровки кремния

MDT-file: Загрузить

Самоорганизация наноостровков кремния (высотой 0,3-0,6 нм) на ступенчатой поверхности Si(111) – как метод формирования поверхностных наноструктур.

Изображение и образец предоставлены Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловым Д.В., Латышевым А.В. Институт физики полупроводников СО РАН, Россия


nanoostrovsi_n
nanoostrovsi_n
Наноостровки кремния

Самоорганизация наноостровков кремния (высотой 0,3-0,6 нм) на ступенчатой поверхности Si(111) – как метод формирования поверхностных наноструктур.

Изображение и образец предоставлены Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловым Д.В., Латышевым А.В. Институт физики полупроводников СО РАН, Россия


size: 3.2x3.2 um
SPM principle: Intermittent contact mode
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.