Спиральная ступень на поверхности Si(111)

MDT-file: Загрузить

Спиральная ступень на поверхности Si(111), образовавшаяся вследствие выхода винтовой дислокации на поверхность, и двумерные (глубиной 0,31 нм) отрицательные островки (c латеральными размерами несколько десятков нанометров), после термического отжига кристалла кремния в кислородной атмосфере.

Изображение и образец предоставлены Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловым Д.В., Латышевым А.В. Институт физики полупроводников СО РАН, Россия.


surface_si_111_n
surface_si_111_n
Спиральная ступень на поверхности Si(111)

Спиральная ступень на поверхности Si(111), образовавшаяся вследствие выхода винтовой дислокации на поверхность, и двумерные (глубиной 0,31 нм) отрицательные островки (c латеральными размерами несколько десятков нанометров), после термического отжига кристалла кремния в кислородной атмосфере.

Изображение и образец предоставлены Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловым Д.В., Латышевым А.В. Институт физики полупроводников СО РАН, Россия.


size: 17x17 um
SPM principle: «Полуконтактный» Метод
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.