Ступенчатая поверхность кремния (111)

MDT-file: Загрузить

Ступенчатая поверхность кремния (111) после осаждения 0,2 MC золота при температуре 9000С в сверхвысоком вакууме с последующим охлаждением до комнатной температуры. В результате охлаждения происходит объединение адатомов на террасах в островки моноатомной высоты.
Впервые экспериментально зарегистрировано увеличение концентрации атомов за счёт выхода на поверхность междоузельных атомов кремния, образующихся при диффузии золота в объёме полупроводника при повышенных температурах.

Изображение получено Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловом Д.В., Латышевым А.В., Институт физики полупроводников СО РАН, Россия


stepped_si_111_n2
stepped_si_111_n2
Ступенчатая поверхность кремния (111)

Ступенчатая поверхность кремния (111) после осаждения 0,2 MC золота при температуре 9000С в сверхвысоком вакууме с последующим охлаждением до комнатной температуры. В результате охлаждения происходит объединение адатомов на террасах в островки моноатомной высоты.
Впервые экспериментально зарегистрировано увеличение концентрации атомов за счёт выхода на поверхность междоузельных атомов кремния, образующихся при диффузии золота в объёме полупроводника при повышенных температурах.

Изображение получено Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловом Д.В., Латышевым А.В., Институт физики полупроводников СО РАН, Россия


size: 5x5 um
SPM principle: Intermittent contact mode
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.