Ge(Si) островки, выращенные на релаксированном SiGe буферном слое

MDT-file: Загрузить

Ge(Si) островки, выращенные на релаксированном SiGe буферном слое

Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен А.В.Новиков, И.Ю.Шулешова, М.В.Шалеев Институт физики микроструктур РАН.


2a_n
2a_n
Ge(Si) островки, выращенные на релаксированном SiGe буферном слое

Ge(Si) островки, выращенные на релаксированном SiGe буферном слое

Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен А.В.Новиков, И.Ю.Шулешова, М.В.Шалеев Институт физики микроструктур РАН.


size: 700x700x40nm
SPM principle: Amplitude modulation AFM
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.