Релаксированный SiGe буферный слой после многократной предростовой химподготовки

MDT-file: Загрузить

Релаксированный SiGe буферный слой после многократной предростовой химподготовки

Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен А.В.Новиков, И.Ю.Шулешова, М.В.Шалеев Институт физики микроструктур РАН.


4_n
4_n
Релаксированный SiGe буферный слой после многократной предростовой химподготовки

Релаксированный SiGe буферный слой после многократной предростовой химподготовки

Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен А.В.Новиков, И.Ю.Шулешова, М.В.Шалеев Институт физики микроструктур РАН.



SPM principle: Amplitude modulation AFM
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.