SiGe/Si(001)

MDT-file: Загрузить

SiGe/Si(001) релаксированный буферный слой (выращенный методом газофазной эпитаксии) подвергнутый травлению.

Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен Кузнецов Олег Александрович, Новиков Алексей Витальевич, Шулешова Ирина Юрьевна, Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия, Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им.Н.И.Лобачевского Нижний Новгород, Россия.


Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.