Монокристал сапфира облученный высоко энергетичными Bi ионами
+1-480-493-0093

Монокристал сапфира облученный высоко энергетичными Bi ионами

MDT-file: Загрузить

АСМ изображени кристала сапфира облученного 710 MЭв Bi ионов.
Каждое сталкновение иона производит конусообразный холмик amorphised Al2O3 с диаметром основания 15 нм и высотой 1,5 нм.

Образец предоставлено В.А. Скуратовым, Флёровская Лаборатория Ядерных Реакторов, Объединенный Институт Ядерных Исследований, Дубна, Russia.


sapphire-monocrystal-irradiated-by-high-energy-bi-ions_1
sapphire-monocrystal-irradiated-by-high-energy-bi-ions_1
Монокристал сапфира облученный высоко энергетичными Bi ионами

size: 700x700x3.0 nm
SPM principle: Intermittent contact mode
sapphire-monocrystal-irradiated-by-high-energy-bi-ions_2


Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.