Поверхность пленки состава SiO2(SnOx)AgOy

MDT-file: Загрузить

Поверхность пленки состава SiO2(SnOx)AgOy, процесс созревания которой происходил при температуре отжига 450oС. Данная пленка была получена золь-гель-методом. Основными компонентами раствора являлись: тетраэтоксисилан (ТЭОС), спирт и вода. Затем в раствор вводили хлорид олова (IV) в молярном соотношении ТЭОС/SnCl4=20; 7; 4. Для того чтобы проследить эволюцию поверхности под воздействием температуры, полученные из исследуемых растворов пленки после нанесения центрифугированием на кремниевую подложку, сушки (120oС), отжигались в диапазоне температур 300-550oС.

Изображение получено Смирновым В.А., Таганрогский государственный радиотехнический университет, кафедра Технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры.
Образец представлен Петровым В.В., Таганрогский государственный радиотехнический университет, кафедра Химии и экологии (ХиЭ).


d_sio2_snox_agoy_n2
d_sio2_snox_agoy_n2
Поверхность пленки состава SiO2(SnOx)AgOy

Поверхность пленки состава SiO2(SnOx)AgOy, процесс созревания которой происходил при температуре отжига 450oС. Данная пленка была получена золь-гель-методом. Основными компонентами раствора являлись: тетраэтоксисилан (ТЭОС), спирт и вода. Затем в раствор вводили хлорид олова (IV) в молярном соотношении ТЭОС/SnCl4=20; 7; 4. Для того чтобы проследить эволюцию поверхности под воздействием температуры, полученные из исследуемых растворов пленки после нанесения центрифугированием на кремниевую подложку, сушки (120oС), отжигались в диапазоне температур 300-550oС.

Изображение получено Смирновым В.А., Таганрогский государственный радиотехнический университет, кафедра Технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры.
Образец представлен Петровым В.В., Таганрогский государственный радиотехнический университет, кафедра Химии и экологии (ХиЭ).


size: 5x5x0.12 um
SPM principle: Intermittent contact mode
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.