Монокристал сапфира облученный высоко энергетичными Bi ионами

MDT-file: Загрузить

АСМ изображени кристала сапфира облученного 710 MЭв Bi ионов.
Каждое сталкновение иона производит конусообразный холмик amorphised Al2O3 с диаметром основания 15 нм и высотой 1.5 ни.

Образец предоставлено В.А. Скуратовым, Леровская Лаборатория Ядерных Реакторов, Объединенный Институт Ядерных Исследований, Дубна, Russia.


sapphire_monocrystal_irradiated_by_high_energy_bi_ions_n2
sapphire_monocrystal_irradiated_by_high_energy_bi_ions_n2
Монокристал сапфира облученный высоко энергетичными Bi ионами

АСМ изображени кристала сапфира облученного 710 MЭв Bi ионов.
Каждое сталкновение иона производит конусообразный холмик amorphised Al2O3 с диаметром основания 15 нм и высотой 1.5 ни.

Образец предоставлено В.А. Скуратовым, Леровская Лаборатория Ядерных Реакторов, Объединенный Институт Ядерных Исследований, Дубна, Russia.


size: 700x700x3.0 nm
SPM principle: Intermittent contact mode
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.