СТМ литография

СТМ изображение LB пленки после локального воздействия электрических импульсов (длительность t=15мс, напряжение U=5В, расстояние между импульсами S=0,5nm). Хорошо видемый дефект указывает на другой механизм поверхностной трансформации - формирование изолирующей области. LB пленка сформирована на приборе MDT-LB5.

Изображение предоставлено В.Быковым, Государственый Исследовательский Институт Физичесих Проблем и НТ-МДТ, Москва, Россия.


V.A.Bykov. Langmuir-Blodgett films and nanotechnology. Biosensor & Bioelectronics Vol. 11, No. 9, pp.
923-932, 1996


stm_lithography_n
stm_lithography_n
СТМ литография

СТМ изображение LB пленки после локального воздействия электрических импульсов (длительность t=15мс, напряжение U=5В, расстояние между импульсами S=0,5nm). Хорошо видемый дефект указывает на другой механизм поверхностной трансформации - формирование изолирующей области. LB пленка сформирована на приборе MDT-LB5.

Изображение предоставлено В.Быковым, Государственый Исследовательский Институт Физичесих Проблем и НТ-МДТ, Москва, Россия.


V.A.Bykov. Langmuir-Blodgett films and nanotechnology. Biosensor & Bioelectronics Vol. 11, No. 9, pp.
923-932, 1996


size: 38x38 nm
SPM principle: STM Lithography
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.