+1-480-493-0093
Leading the Way in Nanoscale Analysis
Продукция
Применения
Ресурсы
О компании
Контакты
Магазин зондов
Онлайн-сервис
Главная
Ресурсы
Галерея сканов
Полупроводники
Etched Si
Etched Si
Травление Si(001) в KOH с образованием пирамидальных углублений
Device:
NTEGRA Aura
Image Courtesy:
Dr. Mikhail Shaleev, IPM RAS
Etched Si
size:
7x7 um
SPM principle:
Amplitude modulation AFM
Topography
size:
13x13 um
SPM principle:
Amplitude modulation AFM
Etched Si
GaN on Sapphire(0001)
Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050
или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.
Спросить эксперта
Отправить запрос
Для технической поддержки используйте
Онлайн сервис
* - Требуется заполнить.
Отправить
Принять политику конфиденциальности