GaAs-AlGaAs-InGaAs Heterostructure

Heterostructure GaAs-AlGaAs-InGaAs on Ge buffer layer on Si(001) substrate
Device: NTEGRA Aura
Image Courtesy: Dr. Mikhail Shaleev, IPM RAS

size: 12x12 um
SPM principle: Amplitude modulation AFM

Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050

или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.

Спросить эксперта