GaN on La3Ga5SiO14

Слой GaN, выращенный МПЭ ПА / подложка - лангасит La3Ga5SiO14
Device: NTEGRA Aura
Image Courtesy: Dr. Mikhail Shaleev, IPM RAS

GaN on La3Ga5SiO14

size: 3x3 um
SPM principle: Amplitude modulation AFM

Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050

или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.

Спросить эксперта