GaN/AlN on Si(111)

Слои GaN/AlN, выращенные МПЭ ПА на подложке Si(111)
Device: NTEGRA Aura
Image Courtesy: Dr. Mikhail Shaleev, IPM RAS

GaN/AlN on Si(111)

size: 3x3 um
SPM principle: Amplitude modulation AFM

Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050

или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.

Спросить эксперта