Ge on Si

Ge слой 300 nm, выращенный методом МПЭ на подложке Si(001)
Device: NTEGRA Aura
Image Courtesy: Dr. Mikhail Shaleev, IPM RAS

Ge on Si

size: 13x13 um
SPM principle: Amplitude modulation AFM

Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050

или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.

Спросить эксперта