Слой выращен методом Атомно-слоевой МЛЭ на подложке GaAs при температуре 500 ℃.
Изображение получено Еременко В. Г., ИПТМ РАН, Россия.
Образец предоставлен Докт Луиза Гонсалес, Институт микроэлектроники, CSIC, Мадрид, Испания
+1-480-493-0093
