Релаксированный SiGe буферный слой после многократной предростовой химподготовки

Релаксированный SiGe буферный слой после многократной предростовой химподготовки

Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен А.В.Новиков, И.Ю.Шулешова, М.В.Шалеев Институт физики микроструктур РАН.