Самоорганизация наноостровков кремния (высотой 0,3-0,6 нм) на ступенчатой поверхности Si(111) – как метод формирования поверхностных наноструктур.
Изображение и образец предоставлены Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловым Д.В., Латышевым А.В. Институт физики полупроводников СО РАН, Россия