Etched Ge(Si) islands

Ge(Si) островки 30 монослоев, выращенные методом МПЭ при 750°С на подложке Si(001) и подвергнутые травлению 6 мин в HF+H2O2+CH3COOH
Device: NTEGRA Aura
Image Courtesy: Dr. Mikhail Shaleev, IPM RAS