Ge Defects

Дефекты при росте Ge методом МПЭ на подложке Si(111)
Device: NTEGRA Aura
Image Courtesy: Dr. Mikhail Shaleev, IPM RAS

r1014-7x7_mkm

Ge Defects

size: 7x7 um
SPM principle: Amplitude modulation AFM

r1014-12_9x12_9_mkm

Topography

size: 13x13 um

Etched Ge(Si) islands

Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050

или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.

Спросить эксперта