Ga(Al)As

MDT-file: Загрузить

Образец представляет собой гетероструктуру Ga[Al]As с двумерным электронным газом (ДЭГ), располагающимся на глубине 80 нм под поверхностью.

Изображение получено Мельниковым М. Ю., Институт Физики Твердого Тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия.

ga_al_as_n

Ga(Al)As

Образец представляет собой гетероструктуру Ga[Al]As с двумерным электронным газом (ДЭГ), располагающимся на глубине 80нм под поверхностью.

Изображение получено Мельниковым М. Ю., Институт Физики Твердого Тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия.

size: 10x14 um
SPM principle: Intermittent contact mode

ga_al_as

Ga(Al)As

size: 10x14 um
SPM principle: Intermittent contact mode

Спиральная ступень на поверхности Si(111)

Моноатомные ступени на поверхности кремния

Остались вопросы? Позвоните нам по телефону: +7-499-110-2050

или заполните форму обратной связи, и мы ответим на все интересующие Вас вопросы.

Спросить эксперта