Спиральная ступень на поверхности Si(111), образовавшаяся вследствие выхода винтовой дислокации на поверхность, и двумерные (глубиной 0,31 нм) отрицательные островки (c латеральными размерами несколько десятков нанометров), после термического отжига кристалла кремния в кислородной атмосфере.
Изображение и образец предоставлены Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловым Д.В., Латышевым А.В. Институт физики полупроводников СО РАН, Россия.
Спиральная ступень на поверхности Si(111), образовавшаяся вследствие выхода винтовой дислокации на поверхность, и двумерные (глубиной 0,31 нм) отрицательные островки (c латеральными размерами несколько десятков нанометров), после термического отжига кристалла кремния в кислородной атмосфере.
Изображение и образец предоставлены Родякиной Е.Е., Косолобовым С.С., Щегловым Д.В., Латышевым А.В. Институт физики полупроводников СО РАН, Россия.
